现在的芯片研讨包含曾经的芯片研讨,都是离不开多栅极MOSFET技能的,可是关于这个技能你都了解吗?
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是当今制作产值最大的中心电子器材之一,而且也是电子开展历史上最成功的器材。
虽然尚无官方数据来预算人均MOSFET的数量,但考虑到以下现实:最先进的微处理器芯片中具有超越20亿个MOSFET,能够确认世界上每个人都应该具有超越数十亿MOSFET。
在开展的前20多年里,多栅极MOSFET技能都是作为一种前沿科技在试验室里进行研讨与演示。
之后,跟着半导体先进制程的快速开展与市场需求的驱动下,多栅极MOSFET技能作为3nm先进制程的完成技能,开端走上商业化路途——量产。
2016年末,台积电宣告方案建造一个5 nm至3 nm节点半导体制作厂,投资额约为157亿美元。2017年9月29日,台积电宣告未来3nm制程晶圆厂,落脚台南市的南部科学工业园区,并方案在2023年开端批量生产3 nm工艺节点。
在2018年头,IMEC和Cadence表明他们现已运用极点紫外线 nm浸没式光刻技能制作了3 nm测验芯片。
在2019年头,三星提出了方案在2021年在3纳米节点制作3纳米GAAFET(万能栅极场效应晶体管)的方案;三星的半导体道路 nm节点的产品。