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原标题：再会，浮栅晶体管！Micron 128层3D NAND选用奥秘新架构
Micron现已用它的新代替栅(RG，Replacement Gate)结构流片了它的第4代3D NAND存储器设备。这次流片证明，该公司正按方案在2020年出产第4代3D NAND闪存，但Micron称，运用新架构的闪存将只用于选定的运用程序，因而，其下一年的3D NAND本钱减少将微乎其微。
Micron第四代3D NAND芯片运用了多达128层，并在阵列规划办法下持续运用CMOS芯片。新式的3D NAND存储器改变了浮栅技能(已被英特尔和Micron公司运用多年)，用于代替栅技能，企图下降掩膜尺度和本钱，一起进步功能，并使更简单过渡到下一代节点。这项技能是由Micron独自开发的，没有任何来自英特尔的投入，所以它很或许是为Micron想要瞄准的运用量身定制的(或许是高asp，如移动设备、顾客等)。
Micron第四代128层3D NAND的流片标明，该公司的新规划不仅仅是一个概念。一起，Micron还没有方案将其一切产品线都转换为开端的RG处理技能，因而下一年公司规模的每位本钱不会大幅下降。尽管如此，该公司许诺在其后续RG节点广泛布置之后，到2021财年（从2020年9月下旬开端）将完成有意义的本钱下降。
现在，Micron正在进步96层3D NAND的产值，并于下一年开端在其绝大部分产品线D NAND不会当即导致每位本钱的明显下降，而是会跟着时刻的推移而下降。后续节点（Micron的第五代3D NAND？）或许具有至少128层，而且假如被广泛运用，则能够猜测，与今日比较，它将大大下降公司的每位本钱。
代替栅或简称“ RG”完成了咱们的第一次流片。这个里程碑进一步下降了咱们进行RG过渡的危险。提示一下，咱们的第一个RG节点将为128层，并将用于挑选的一组产品。咱们估计RG不会在2021财年广泛布置，在第二代RG节点之前完成有意义的本钱下降。因而，咱们估计2020财年NAND的本钱下降最小。咱们的RG出产布置办法将优化NAND本钱出资的ROI。”
