ballbet安卓:SiC、GaN、硅功率器材
发布时间：2023-08-05 12:50:15   来源：ballbet安卓版 作者：ballbet安卓版西甲赞助    点击：110

　　GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）功率晶体管作为电源办理范畴现在备受推重的新式立异技能，但仍有应战需求战胜，尤其是高本钱和低牢靠性。

　　在应对气候变化和近期能源危机等应战时，燃眉之急是下降电子设备的功耗和发热。

　　云核算、虚拟世界的大型数据中心以及新式智能手机等各种小型电子设备将持续出资。SiC 和 GaN 都能够供给更小的尺度和更低的热/功耗，但它们成为规范技能还需求一些时刻。

　　在德国慕尼黑举行的欧洲最大的电子展electronica 2022上，美国EE Times的Maurizio Di Paolo Emilio先生掌管了圆桌评论，功率半导体厂商高管评论当时和未来的应战/环绕 GaN/SiC 功率晶体管的时机。咱们特别重视它的出产和盛行。

　　虽然评论适当着重 GaN/SiC 功率晶体管的优势，但也明晰表明硅 MOSFET 不会很快消失。虽然 GaN 晶体管的制作本钱现已到达与 MOSFET 类似或更低的水平，但要赶上产值还需求数十年的时刻。

　　Navitas Semiconductor 企业营销和 IR 副总裁 Stephen Oliver 表明：“第一次功率革新发生在双极晶体管变成 MOSFET 时，咱们现在正处于第2次革新的中心。”有了 GaN/SiC，硅行将消失，为了霸占集成化、高压等前沿技能，咱们应该朝着GaN/SiC的专攻方向开展。”说。

　　很明显，这两种化合物最终将替代硅 MOSFET 和双极晶体管。问题是什么时候能够完成，会发生什么样的本钱？

　　Efficient Power Conversion (EPC) 首席执行官 Alex Lidow 表明，“现在的留传运用在未来 10 到 15 年或更长时刻内将持续运用硅 MOSFET。MOSFET 将持续增加。估计 GaN 功率晶体管的低迷不仅在速率上，也在茶凉增加上，但价格会像双极型晶体管相同持续上涨，这是长时刻周期的一个方面。“它比 MOSFET 更廉价。”

　　Infineon Technologies 高档负责人 Gerald Deboy 表明：“现在硅占整个商场的 95%。当然 SiC/GaN 的增加速度非常快。咱们是 SiC等各种技能都需求得到保证，以便走在规划的前沿，供给 GaN 和 GaN 之间的高度差异化，而硅填补了这些空白，至少在未来十年内一切技能都将共存。假如你看看 SiC 的增加/GaN，GaN 的增加速度比 SiC 快得多，虽然 GaN 稍微落后于 SiC。时机正在扩展，”他说。

　　Wolfspeed 功率产品高档总监 Guy Moxey 表明：“到 2021 年，硅 MOSFET 分立模块的功率半导体商场规划将到达 280 亿美元，而 SiC 约为 20 亿美元，GaN 约为 10 亿美元。”但到2030年，估计还需求几个规划周期，SiC商场规划将在200亿美元左右，GaN商场规划将超越5-60亿美元，有望到达各自的规划，“ 他说。

　　据小组成员称，到 2023 年，关于某些低压运用，GaN 的价格将与 MOSFET 相等。在价格方面，例如，在 65W USB PD（电力运送）充电的情况下，GaN 和硅体系估计在 2023 年上半年具有可比的体系价格。一起，它们的要小三分之一. 它更小更轻，为移动核算职业供给了强壮的价值建议。

　　GaN 技能是低电压运用的抱负挑选，但关于结合运用这两种技能的轿车运用，牢靠性仍面对应战。

　　Power Integrations 商场营销和运用工程副总裁 Doug Bailey 说：“GaN 面对的首要问题是它的速度超快，需求怠慢速度，需求约束寄生电感。咱们正在采纳一项战略来集成 GaN 和 SiC。”

　　ROHM Semiconductor Europe 轿车事业部和电源体系总监 Aly Mashaly 表明：“咱们早就知道这需求时刻，2016 年咱们宣告了有史以来最大的出资。”硅芯片，以及咱们自己的模块制作工厂。”

　　关于小组成员来说，SiC 和 GaN 的行进路途是明晰的，并且技能是牢靠的。

　　但咱们还需求数年时刻才干进步产值、取得更多规划成功并到达电子职业具有竞争力所需的价格点。