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中，它们用作开关。国际上有很多的制作商出产半导体（晶体管是该设备宗族的成员），因而有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管，用于高频和低频作业，用于十分高电流和/或高电压作业。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管及其运用。
晶体管是电子设备。它是经过p型和n型半导体制成的。当半导体放置在相同类型半导体之间的中心时，这种摆放称为晶体管。咱们能够说晶体管是两个二极管的组合，它是背靠背衔接的。晶体管是一种调理电流或电压的设备，充任电子信号的按钮或门。
晶体管由三层半导体器材组成，每层都能够移动电流。半导体是一种以“半热敏”方法导电的资料，例如锗和硅。它介于真实的导体（例如铜）和绝缘体（相似于塑料包裹的粗糙电线）之间。
公开了 npn 和 pnp 晶体管的图解方法。在线衔接是选用引出方法。箭头符号界说了发射极电流。在 npn 衔接中，咱们确认电子流入发射极。这意味着保存电流从发射极流出，如流出箭头所示。相同，能够看出，关于 pnp 衔接，保存电流流入发射极，如图中向内的箭头所示。
晶体管的品种繁复，每种晶体管的特性各不相同，各有其长处和缺陷。某些类型的晶体管首要用于开关运用。其他的可用于开关和扩大。虽然如此，其他晶体管仍归于自己的专业组，例如光电晶体管，它们会对照耀在其上的光量做出反响，然后发生流过它的电流。以下是不同类型晶体管的列表；咱们将回忆一下发明它们的特征
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管（与 FET 晶体管不同）是电流操控器材。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极区的电流大得多。双极结型晶体管有两种首要类型：NPN 和 PNP。NPN 晶体管是一种大大都载流子是电子的晶体管。
从发射极流向集电极的电子构成流经晶体管的大部分电流的基极。其他类型的电荷——空穴——只占少数。PNP晶体管则相反。在PNP晶体管中，载流子大大都为空穴。BJT 晶体管有两品种型，即 PNP 和 NPN
该晶体管是另一种 BJT——双极结型晶体管，它包含两种 p 型半导体资料。这些资料经过薄 n 型半导体层分隔。在这些晶体管中，大大都电荷载流子是空穴，而少数电荷载流子是电子。
在该晶体管中，箭头符号表明传统的电流活动。该晶体管中的电流方向是从发射极点到集电极点子。一旦基极点子与发射极点子比较被拖至低电平，该晶体管将导通。PNP晶体管的符号如下所示。
NPN也是BJT（双极结型晶体管）的一种，它包含经过薄p型半导体层分隔的两种n型半导体资料。在 NPN 晶体管中，大大都载流子是电子，而少数载流子是空穴。电子从发射极点子流向集电极点子将在晶体管的基极点子内构成电流。
在晶体管中，基极点子供给的电流量较少会导致从发射极点子到集电极供给很多电流。现在常用的BJT是NPN晶体管，因为电子迁移率比空穴迁移率更高。NPN晶体管的符号如下所示。
场效应晶体管由 3 个区域组成：栅极、源极和漏极。与双极晶体管不同，FET 是电压操控器材。栅极处的电压操控电流从晶体管的源极流向漏极。场效应晶体管具有十分高的输入阻抗，从几兆欧 (MΩ) 到更大的电阻值。
这种高输入阻抗导致它们流过的电流十分少。（依据欧姆定律，电流与电路阻抗值成反比。假如阻抗高，电流就会十分低。）因而，FET 从电路电源罗致的电流十分少。
因而，这是抱负的，因为它们不会搅扰它们所衔接的原始电路功率元件。它们不会导致电源负载下降。FET 的缺陷是它们无法供给与双极晶体管相同的扩大效果。
双极晶体管的优势在于它们供给了更大的扩大才能，虽然 FET 的优势在于负载更小、更廉价且更简略制作。场效应晶体管有 2 种首要类型：JFET 和MOSFET。JFET 和 MOSFET 十分相似，但 MOSFET 的输入阻抗值乃至比 JFET 更高。这会导致电路中的负载更少。FET晶体管分为两品种型，即JFET和MOSFET。
JFET 代表结型场效应晶体管。这很简略，也是 FET 晶体管的初始类型，可用作电阻器、扩大器、开关等。这是一种电压操控器材，不运用任何偏置电流。一旦在栅极和源极点子之间施加电压，它就会操控 JFET 晶体管的源极和漏极之间的电流。
结型场效应晶体管（JUGFET 或 JFET）没有 PN 结，但取而代之的是高电阻率半导体资料的狭隘部分，构成 N 型或 P 型硅“通道”，供大都载流子流过两头有两个欧姆电气衔接，一般别离称为漏极和源极。
结型场效应晶体管有两种根本装备：N 沟道 JFET 和 P 沟道 JFET。N 沟道 JFET 的沟道掺杂有施主杂质，这意味着流过沟道的电流以电子方法为负（因而称为 N 沟道）。这些晶体管有 P 沟道和 N 沟道类型。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一切类型晶体管中最常用的。望文生义，它包含金属栅极的端子。该晶体管包含四个端子，如源极、漏极、栅极和衬底或主体。
与 BJT 和 JFET 比较，MOSFET 有几个长处，因为它供给高 I/P 阻抗和低 O/P 阻抗。MOSFET 首要用于低功率电路，尤其是在芯片规划时。这些晶体管有耗尽型和增强型两品种型。此外，这些类型分为P沟道和N沟道类型。
· 在 FET 中，因为反向偏置，输入电流将会活动。因而该晶体管的输入阻抗较高。
· 当场效应晶体管的输出电压经过栅极输入电压来操控时，这种晶体管被称为电压操控器材。
· 在引导车道上，不存在穿插路口。因而，与 BJT 比较，FET 的噪声更小。
· 增益的表征能够经过跨导来完结，因为它是 o/p 改动电流与输入电压改动的比率
· FET 的增益表征能够经过跨导来完结，而 BJT 则能够经过电压增益来表征
FET 具有源极、栅极和漏极三个端子，这与 BJT 的端子不同。在 FET 中，源极点子相似于 BJT 的发射极点子，而栅极点子相似于基极点子和漏极点子到集电极点子。
· 在 FET 中，栅极点子在操控整个通道的电流活动方面发挥着重要效果。
· 栅极点子是两个内部衔接且重掺杂的端子的混合。沟道的电导率能够经过栅极点子进行调制。
依据功用，晶体管有不同类型，如小信号晶体管、小开关晶体管、功率晶体管、高频晶体管、光电晶体管、UJT。某些类型的晶体管首要用于扩大，不然用于开关意图。
小信号晶体管首要用于扩大低电平信号，但也能够用作开关。这些晶体管可经过 hFE 值来运用，该值指定晶体管怎么扩大输入信号。典型 hFE 值的规模为 10 至 500，其间最高集电极电流 (Ic) 额定值规模为 80 mA 至 600mA。
这些晶体管有两种方法，例如 PNP 和 NPN。该晶体管的最高作业频率为 1 至 300 MHz。这些晶体管用于扩大几伏等小信号以及仅运用毫安电流时。一旦运用巨大的电压和电流，就能够运用功率晶体管。
小型开关晶体管的用处相似于开关和扩大器。这些晶体管的典型 hFE 值规模为 10 至 200，包含规模为 10 mA 至 1000mA 的最小集电极电流额定值。这些晶体管有两种方法，例如 PNP 和 NPN
这些晶体管不具备晶体管的小信号扩大才能，而晶体管的小信号扩大才能最多可达 500 倍。因而，这将使晶体管更有利于开关，虽然它们能够用作扩大器来供给增益。一旦您需求额定的增益，那么这些晶体管就会像扩大器相同发挥更好的效果。
这些晶体管适用于运用很多功率的状况。该晶体管的集电极点子与金属基极点子相连，因而它就像散热器相同能够消除剩余的功率。典型额定功率规模首要为约 10 W 至 300 W，其间额定频率规模为 1 MHz – 100 MHz。
最高集电极电流的值规模为 1A – 100A。功率晶体管有 PNP 和 NPN 方法，而达林顿晶体管有 PNP 或 NPN 方法。
高频晶体管特别适用于在高频下作业的小信号，并用于根据高速的开关运用。这些晶体管适用于高频信号，而且应该能够以极高的速度翻开/封闭。
高频晶体管的运用首要包含HF、UHF、VHF、MATV和CATV扩大器以及振荡器运用。最大额定频率规模约为 2000 MHz，最高集电极电流规模为 10 mA – 600mA。这些都能够 PNP 和 NPN 方法取得。
这些晶体管是光敏晶体管，这种晶体管的常见类型看起来像双极晶体管，其间该晶体管的基极引线被移除并经过光敏区域进行改动。因而，这便是光电晶体管仅包含两个端子而不是三个端子的原因。一旦外部区域坚持阴凉，设备就会封闭。
根本上，没有电流从集电极区域流向发射极。可是，每逢光敏区域暴露在日光下时，就会发生少数的基极电流来操控很高的集电极到发射极电流。
与一般晶体管相似，它们可所以 FET 也可所以 BJT。FET 是光敏晶体管，与光电双极晶体管不同，光电 FET 利用光发生栅极电压，首要用于操控漏源电流。它们对光的改动十分灵敏，而且与双极光电晶体管比较愈加灵敏。
单结晶体管 (UJT) 包含三引线，其作业方法彻底相似于电气开关，因而它们不像扩大器那样运用。一般来说，晶体管的作业方法既像开关又像扩大器。但是，因为其规划原因，UJT 不会供给任何类型的扩大。因而，它的规划意图不是供给满足的电压或电流。
这些晶体管的引线 和发射极引线。该晶体管的操作很简略。当其发射极或基极点子之间存在电压时，就会有小电流从 B2 流向 B1。
其他类型晶体管中的操控引线将供给小的额定电流，而在 UJT 中，状况恰恰相反。晶体管的首要来历是其发射极电流。从 B2 流向 B1 的电流仅仅整个组合电流的一小部分，这意味着 UJT 不合适扩大，但合适开关。
AlgaAs/GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 用于频率高达 Ku 频段的数字和运用。HBT 能够供给比硅双极晶体管更快的开关速度，首要是因为基极电阻和集电极到基板的电容下降。HBT 处理所需的光刻要求低于 GaAs FET，因而，HBT 的制作本钱十分高，而且能够供给更好的光刻良率。
该技能还能够供给比 GaAs FET 更高的击穿电压和更简略的宽带阻抗匹配。在对硅双极结型晶体管 (BJT) 的评价中，HBT 在发射极注入功率、基极电阻、基极-发射极电容和截止频率方面体现出更好的体现。它们还具有杰出的线性度、低相位噪声和高功率附加功率。HBT 可用于盈余且高可靠性的运用，例如移动电话中的功率扩大器和激光驱动器。
达林顿晶体管有时称为“达林顿对”，是由两个晶体管组成的晶体管电路。西德尼·达林顿发明晰它。它就像一个晶体管，但它具有更高的取得电流的才能。该电路能够由两个分立晶体管组成，也能够坐落集成电路内部。
达林顿晶体管的 hfe 参数是每个晶体管 hfe 彼此乘积。该电路关于音频扩大器或丈量流过水的十分小的电流的探头很有协助。它十分灵敏，能够感知皮肤中的电流。假如将其衔接到一块金属，就能够构建一个接触感应按钮。
肖特基晶体管是晶体管和肖特基二极管的组合，经过搬运极点输入电流来避免晶体管饱满。它也称为肖特基钳位晶体管。
多发射极晶体管是一种专用双极晶体管，常常用作晶体管逻辑(TTL) NAND逻辑门的输入。输入信号施加到发射器。假如一切发射极均由逻辑高电压驱动，则集电极电流会简略地中止活动，然后运用单个晶体管履行 NAND 逻辑处理。多发射极晶体管替代了 DTL 的二极管，并赞同削减开关时刻和功耗。
在多种射频运用中特别盛行的一种 MOSFET 是双栅极 MOSFET。双栅极 MOSFET 用于许多射频和其他需求串联两个操控栅极的运用。双栅极 MOSFET 本质上是 MOSFET 的一种方法，其间两个栅极沿着沟道的长度一个接一个地组成。
这样，两个栅极都会影响源极和漏极之间活动的电流水平。实际上，双栅极 MOSFET 的操作可被视为与串联的两个 MOSFET 器材相同。两个栅极都会影响 MOSFET 的一般操作，然后影响输出。双栅极 MOSFET 可用于许多运用，包含射频混频器/乘法器、射频扩大器、具有增益操控的扩大器等。
雪崩晶体管是一种双极结型晶体管，规划用于在集电极电流/集电极发射极电压特性超出集电极发射极击穿电压的区域（称为雪崩击穿区域）进行处理。该区域的特点是雪崩击穿（相似于汤森气体放电的现象）和负微分电阻。雪崩击穿区域中的操作称为雪崩形式操作：它使雪崩晶体管能够以小于纳秒的上升和下降时刻（过渡时刻）切换十分高的电流。
并非专门为此意图规划的晶体管能够具有恰当共同的雪崩特性；例如，吉姆·威廉姆斯 (Jim Williams) 写道，在 12 年期间制作的 15V 高速开关 2N2369 样品中，82% 能够运用 90V 电源生成上升时刻为 350 ps 或更短的雪崩击穿脉冲。
分散晶体管是经过将掺杂剂分散到半导体衬底中而构成的双极结型晶体管(BJT)。分散工艺的施行晚于用于制作 BJT 的合金结和成长结工艺。贝尔实验室于 1954 年开宣布第一个原型分散晶体管。开始的分散晶体管是分散基极晶体管。
这些晶体管依然有合金发射极，有时还有合金集电极，就像前期的合金结晶体管相同。仅碱分散到基底中。有时，衬底发生集电极，但在像 Philco 的微合金分散晶体管这样的晶体管中，衬底是基极的主体。
功率半导体的恰当运用需求了解其最大额定值和电气特性以及器材数据表中供给的信息。杰出的规划实践选用数据表约束，而不是从小批量样品中取得的信息。额定值是对设备才能设置约束的最大值或最小值。超越额定值的行为可能会导致不可逆转的退化或设备毛病。最大额定值表明设备的极限才能。它们不能用作规划环境。
特性是在各个操作条件下对设备功能的衡量，以最小值、特性值和/或最大值表明，或以图形方法显现。
因而，这便是关于什么是晶体管以及不同类型的晶体管及其运用的内容。咱们期望您能更好地了解这个概念或施行电气和电子项目，请在下面的谈论部分宣布您的名贵主张。这里有一个问题问你，晶体管的首要效果是什么？
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