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现在的晶圆都是由硅元素出产制成，已知硅原子的直径大约是0.22nm，再考虑到原子之间的间隔，理论极限至少是0.5nm，但必定没有一点企业能做到。共同以为3nm将是芯片制程工艺的极限。
事实上自从晶体管制作工艺进入10nm年代之后，持续提高制程工艺变得本来越困难，特别是Intel在14nm工艺上足足停留了5年之久，因而想要持续提高芯片功用最好的方法是另辟蹊径。
日前，复旦大学科研团队近来在集成电路基础研究范畴获得一项打破。他们创造了让单晶体管“一个人干两个人的活”的新逻辑结构，使晶体管面积缩小50%，存储核算的同步性也进一步提高。
复旦大学微电子学院教授周鹏指出：“这项研究工作的核心内容是使用原子晶体硫化钼做出了新结构晶体管。在此基础上，团队创造了新的单晶体管逻辑结构，在单晶体管上完成了逻辑运算的与和或。”因而原先需求2个独立晶体管才干完成逻辑功用，现在只需1个晶体管即可。
假如该创造效果成功产业化，将推进集成电路向更轻、更快、更小、功耗更低方向开展。相关研究效果已在线发表于《天然纳米技术》。
