ballbet安卓:芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅进步集成电路密度
发布时间：2023-05-22 01:16:06   来源：ballbet安卓版 作者：ballbet安卓版西甲赞助    点击：137

　　研讨人员拿着一块8英寸的二硫化钼薄膜的CMOS晶圆。右边是研讨人员开发的熔炉，使用不危害晶片的低温工艺在晶片上“成长”一层二硫化钼。图片

　　美国麻省理工学院一个跨学科团队开宣布一种低温成长工艺，可直接在硅芯片上有用且高效地“成长”二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）资料层，以完成更密布的集成。这项技能可能会让芯片密度更高、功用更强壮。相关论文宣布在最新一期《天然·纳米技能》杂志上。

　　这项技能绕过了之前与高温文资料传输缺点相关的问题，缩短了成长时刻，并答应在较大的8英寸晶圆上构成均匀的层，这使其成为商业使用的抱负挑选。

　　新式的人工智能使用，如发生人类言语的谈天机器人，需求更密布、更强壮的计算机芯片。但半导体芯片传统上是用块状资料制作的，这种资料是方形的三维（3D）结构，因而堆叠多层晶体管以完成更密布的集成十分困难。但是，由超薄2D资料制成的晶体管，每个只要大约三个原子的厚度，堆叠起来可制作更强壮的芯片。

　　让2D资料直接在硅片上成长是一个严重应战，由于这一进程一般需求大约600℃的高温，而硅晶体管和电路在加热到400℃以上时可能会损坏。新开发的低温成长进程则不会损坏芯片。

　　曩昔，研讨人员在其他当地培养2D资料后，再将它们搬运到芯片或晶片上。这往往会导致缺点，影响终究器材和电路的功能。此外，在晶片规划上顺畅搬运资料也极端困难。相比之下，这种新工艺可在8英寸晶片上成长出一层润滑、高度均匀的层。

　　这项新技能还能明显削减“栽培”这些资料所需的时刻。曾经的办法需求一天多的时刻才干成长出一层2D资料，而新办法可在不到一小时内涵8英寸晶片上成长出均匀的TMD资料层。

　　研讨人员表明，他们所做的就像制作一座多层修建。传统情况下，只要一层楼无法包容很多人。但有了更多楼层，这座修建将包容更多的人。得益于他们正在研讨的异质集成，有了硅作为第一层，他们就可在顶部直接集成许多层的2D资料。