ballbet安卓:2024年中国第三代半导体材料细分市场分析 GaN应用场景将进一步拓展
发布时间：2024-11-10 01:02:05   来源：ballbet安卓版 作者：ballbet安卓版西甲赞助    点击：72

　　第三代半导体材料最重要的包含碳化硅 ( SiC ) 、氮化镓 ( GaN ) 、氮化铝 ( AlN ) 、氧化锌 ( ZnO ) 、金刚石，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅 ( SiC ) 和氮化镓 ( GaN ) 两类，具体用途如下：

　　氮化镓 ( GaN ) 是一种宽禁带化合物半导体材料，其禁带宽度为 3.4eV，与第一代、第二代半导体材料相比，它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。

　　氮化镓器件在 5G 通信、新能源汽车、消费电子等领域具有广泛的应用。在 5G 通信领域，氮化镓功率放大器 ( PA ) 能够明显提高信号传输效率和系统性能 ; 在新能源汽车领域，氮化镓充电器和逆变器可提升充电速度和驱动效率 ; 在消费电子领域，氮化镓 LED 具有高效、节能、环保等优点，已大范围的应用于照明、显示等领域。

　　尽管碳化硅被更多地作为衬底材料 ( 相较于氮化镓 ) ，国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等 ; 从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等 ; 从事氮化镓器件制造的厂商主要有三安光电、闻泰科技赛微电子聚灿光电乾照光电等。

　　2022 年，国内 12 英寸 Si 基 GaN HEMT 外延技术获得突破，苏州纳维、中镓半导体持续开展 GaN 衬底研发和产业化，8 英寸 Si 基 GaN 产品实现量产，国产 GaN 射频产品加快向民用市场渗透。

　　未来，随着新材料、新工艺的不断涌现和技术的一直在升级迭代，氮化镓行业将实现更高水平的技术创新，应用场景将进一步拓展。

　　更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前途预测与投资战略规划分析报告》。

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