1. 第一代半导体资料,以硅(Si)、锗(Ge)为主,当时美国独占4N8以上高纯石英砂出产(占比90%以上),日本、德国独占半导体硅片出产(占比70%以上),我国独占锗出产(占比70%),储量看:可加工成4N8以上高纯石英砂质料矿美国占比约95%,锗储量美国占45%、我国占41%;
2. 第二代半导体资料,首要有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等,砷化镓耗费镓量约占镓全体耗费量的10%,我国粗镓产值约占80%以上,美国、加拿大、日本精镓产值约占90%以上,我国砷化镓晶圆约占30%以上;全球镓储量约27.93万吨,其间我国约19万吨、非洲5.39万吨、欧洲1.95万吨、南美洲1.14万吨、美国0.45万吨;磷化铟我国、美国、欧洲占了重要市场比例;
3. 第三代半导体资料,首要有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO),美国碳化硅产值约占70%,我国氮化镓产值占80%以上,我国氧化锌产值占60%以上;
4. 第四代半导体资料,首要有氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)、锑化镓(GaSb)和锑化铟(InSb),美国氧化镓产值占70%以上,半导体级金刚石占比90%以上,氮化铝日本、我国占了重要比例,氮化硼美国、韩国、澳大利亚占了重要比例,锑化镓与锑化铟我国占了重要比例,到2022年全球锑储量仅180万吨,其间我国储量35万吨,2022年全球锑资源产值为11万吨,其间我国产值为6万吨,但锑归于干涸型资源。