不久前,达摩院在《2021十大科技趋势》中将第三代半导体应用爆发放在第一大趋势,或是凸显第三代半导体应用趋势。
事实上,以第三代半导体器件为核心之一的功率器件的景气度在2020年Q3已现端倪。明显的表现就是全球功率器件掀起“缺货涨价”潮,有分析师指出,“2020年Q3,功率半导体器件进入了量价齐升、相关品类紧缺导致价格狂飙的库存周期。”
在功率器件量价齐升的背景下,本土第三代半导体厂商想加快产业落地,少不了“资本”这个背后的重要推手。
近年来,随着材料生长、器件制备等技术的不断突破,第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。
根据达摩院发布的《2021十大科技趋势》预测的第一大趋势是“以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体迎来应用大爆发”。
趋势预测背后有其事实依据支撑。“在我们在朝着高度智能化社会持续健康发展的过程中,传统的半导体硅材料,由于自身材料的局限性,已经不能够满足如人工智能, 数据中心、5G等新产业高质量发展的需求,这些新的产业需要效率更加高,体积更小,更加节能的半导体材料。”英诺赛科销售副总裁陈钰林向集微网指出,这就是第三代半导体材料。
发展趋势与行业发展周期密不可分。“半导体有其内在的投资周期,以第三代半导体为例,它的发展是内嵌在朱格拉周期(设备投资周期),也就是背后的产业升级这10年大周期,同时它也处于国产替代周期叠加5G、新能源等新事物发展的5年创新周期和功率半导体这个大品类的库存周期。”方正证券科技行业首席分析师陈杭向集微网表示。
对于功率器件库存周期的详细情况,陈杭补充到:“全球半导体自20Q3末开始步入被动补库存阶段,全球开始恐慌性缺货,并带来涨价预期,与16Q3~18Q1的全球半导体景气周期以存储涨价为主导不同,本轮20Q4~22Q1是以功率/八寸片涨价拉动到全产业链涨价。”
业内人士认为,未来几年,基于第三代半导体材料的电子器件将大范围的应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景,第三代半导体的发展已成大势所趋。
事实上,在第三代半导体起势之际,已有部分企业率先“尝鲜”。陈钰林表示,“无论在消费、工业还是汽车领域,氮化镓都已有了成熟应用的案例。在快充和激光雷达领域,氮化镓已经实现了千万级别的出货,英伟达在新一代人工智能处理器主板上也使用了100伏的低压氮化镓电源模块。”
具体性能差异上,他分析到,“当前,我们氮化镓第一代产品的导通阻抗比硅器件有2倍的优势,开关速度已经比硅器件有15倍的优势,系统的功率密度能大大的提升2倍。”
随着后期产品不断的更新迭代,氮化镓产品的优势会慢慢的大,所以可以预期在不远的未来,GaNFET可以在众多领域取代MosFET,成为功率半导体的新主流。
而另一个关键材料碳化硅,用其制造的元器件也已应用于汽车逆变器、工业逆变器等方面。自特斯拉在引入碳化硅MOSFET到主驱上并迅速量产后,国内新能源汽车也开始跟进,且得到了市场的广泛接受。
新能源汽车与碳化硅的发展相互促进,因此,新能源汽车也被认为是碳化硅器件的“杀手级应用”。
目前,整车厂及Tier1积极引入SiC器件,博格华纳、欣锐科技、吉利汽车、大众及BYD等企业布局OBC领域,特斯拉、丰田、本田、BYD,吉利及蔚来等企业积极布局主驱,而DC-DC领域主要有欣锐科技、特斯拉、吉利汽车、BYD等公司。
整体来看,国内的5G、新能源汽车等新兴起的产业发展非常迅速,在个别企业“尝鲜”后,这些领域将会有更多的玩家进入。这将大力推动第三代半导体实际应用落地。
在产业链上游方面,去年8月,天科合达自筹资金新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设施的碳化硅衬底生产线,建成后可年产碳化硅衬底12万片。在氮化镓方面,英诺赛科两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线万片功率控制电路及半导体电力电子器件。
在设计、制造封测等方面,斯达半导拟投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入。
芯聚能总裁周晓阳向集微网透露,“芯聚能自主开发的SiC车载主驱模块已通过主机厂性能测试,2021年的产能目标是超过3万块/月。”
类似的投产情况还在发生,国内的第三代半导体产业建设正如火如荼进行。众多企业追捧第三代半导体并加速产业落地的背后,其中关键的动力来源于资本这股隐秘的力量。
前不久,华为哈勃投资参投A轮的碳化硅材料厂天岳科技启动上市辅导。天眼查显示,天岳科技至今共完成四轮融资,投资方包括深创投、长江资本、哈勃投资以及大湾区共同家园发展基金等,其中,哈勃投资持股8.37%。
除此之外,A股已有闻泰科技(安世)、扬杰科技、斯达半导、赛微电子、露笑科技和士兰微等一批优秀的上市公司,而比亚迪半导体、中车电气这两家IDM模式的公司目前也正排队IPO。
其中,比亚迪半导体的融资速度有目共睹,这也反映出资本对第三代半导体产业的投资热度。有参与投资机构表示,“我们也参与投资了几千万,投它的一个根本原因也是看好它的产业能真正落地,希望用资本帮助它早日投产。”
值得一提的是,除上述公司外,上海瞻芯、基本半导体、森国科和上海瀚薪等尚未上市的公司也备受投资机构的青睐。其中,上海瀚薪近一年内完成两轮融资,第二轮更是由国家集成电路基金的子基金—上海半导体装备材料产业投资基金领投。
正如上海瀚薪董事长徐菲所言,同海外的竞争对手相比,无论是在产品品类、质量还是在产品线规划上,我们与海外企业相差并不大,有望在第三代半导体这样的领域实现超车。因此,在第三代半导体产业化落地进一步加快关键时刻,背后的资本力量更不可或缺。
关键字:半导体引用地址:第三代半导体应用爆发趋势之下,产业落地不能缺这股力量
作为第三代半导体产业高质量发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器与变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。 在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,能轻松实现更低的开关和导通损耗,同时具有更高的阻断电压和雪崩能力,显著提升系统效率及功率密度,以此来降低系统综合成本。 图:SiC/Si器件效率对比 一、行业典型应用 碳化硅MOSFET的主要应用领域包括:充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能源汽车OBC、工业电源、电机驱动等。 1.充电桩电源模块 与下游数量较多的充电桩制造商和运营商不同
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