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IBM 和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣告了新结构晶体管“VTFET（笔直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。
半导体中，晶体管是横向摆放，电流横向活动，但在 VTFET 中，晶体管是纵向构成的，电流也纵向活动。选用这样的结构，与现在干流的小型化FinFET（Fin Field-Effect Transistor）比较，有望完成两倍的功能或下降85%的功耗。跟着VTFET的完成，两家公司都将完成一款无需充电就能够继续运转一周以上的智能手机，还能够以更少的电力进行加密钱银发掘和数据加密等杂乱处理，并削减二氧化碳排放。 . 此外，能够以更低的功率操作在 IoT（物联网）结尾运转的设备。IBM和韩国三星电子于当地时间 12 月 14 日宣告了新结构晶体管“VTFET（笔直传输场效应晶体管）”。VTFET 是与美国纽约奥尔巴尼纳米技术中心的两家公司合作开发的。
