职业还在尽力跟上摩尔定律,但除了制程工艺放缓之外,架构规划相同至关重要。得益于从平面型到鳍式场效应管的过渡,芯片功用在曩昔10年的提高还能牵强跟上摩尔定律。
从2012年发布第一代22nm制程工艺开端, 鳍式场效应管(FinFET)晶体管结构在半导体上现已运用挨近9年时刻,FinFET晶体管还将在未来几年持续扮演重要的人物。业界看好下一代盘绕栅极晶体管(GAAFET)在3nm及更先进制程上的运用,但运用全新的晶体管构型的价值十分巨大。
外媒指出,尽管台积电和三星两大晶圆代工厂在7nm或5nm工艺节点上供给巨大的产能,但台积电(TSMC)、三星(SANSUNG)和英特尔Intel)正在尽力霸占根据盘绕栅极晶体管(GAA)技能的3nm和2nm工艺节点。
据了解,GAAFET能带来更好的可扩展性、更快的开关时刻、更优的驱动电流以及更低的走漏。仅仅工艺老练的FinFET依然是半导体厂商重视的中心,包含台积电暂缓在5nm工艺上运用GAAFET,仍运用FinFET晶体管。但在台积电2020年研讨会上,其声称N3技能可在提高50%功用的一起下降30%功耗,工艺密度是N5的1.7倍。
早前音讯称,台积电计划在2024年前做好量产2nm制程的量产,条件是将凭借久经考验的、更可猜测的工艺节点,台积电有足够时刻去查验GAA-FET在2nm节点下的运用远景。Semiconductor Engineering称三星和英特尔也在尽力完结从3nm到2nm工艺节点的过渡,三星有望在2022年末前完结。TechSpot指出,GAAFET有许多类型,现在已知的是三星将选用根据纳米片的多桥沟道场效应晶体管(简称MBC-FET)的计划。
三星的MBC-FET可视作FinFET的旁边面翻转,特点是将栅极包含于衬底上成长的纳米硅片,而英特尔发表将于2025年选用根据“纳米丝带”(nanoribbons)的相似计划。在顶替鲍勃·斯旺(Bob Swan)的新任CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)的带领下,英特尔或许可以加快向新工艺的转进。
此外,在FinFET和GAAFET携手并进的一起,芯片制造商还可能动用锗(Ge)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(AsIn)等具有高迁移率特性的半导体资料。
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