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针对未来才智功率器材和模组中需求集成实时温度传感功用的需求，团队提出了一种具有空穴通道和温度传感功用的低导通损耗的新式载流子存储沟槽栅双极
在该结构中，假栅被深p阱围住，浮p区中的n+区域外接传感电极，经过引进反向p-n健壮现实时温度传感。这种规划也有助于减轻沟槽底部的电场，还可以对载流子存储(CS)层进行高浓度掺杂，以取得较低的开态电压(Von)，来提高空穴阻挠才能。
在关断进程中，假栅周围的p阱可当作空穴通道，以削减关断损耗(EOFF)。仿真依据成果得出，与传统CSTBT比较，在相同的Von下，关断下降时刻(tf)和EOFF别离降低了68.7%和52.3%。
该论文所提出的HP-CSTBT为电力电子实时温度传感供给了一种有用可行的办法。该器材结构相对比较简单，成本低，与现有工艺彻底兼容，具有非常好的实践使用潜力。
本研讨由复旦大学与嘉善复旦研讨院共同完成，复旦大学博士研讨生徐航为榜首作者，嘉善复旦研讨院特聘专家、复旦大学新一代集成电路技能集成攻关大渠道助理研讨员杨雅芬教师为通讯作者。
图2：(a)短路特性。(b)短路进程传感电流随时刻的改变。(c)器材实时最高温度和传感核算温度。
