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小小一颗芯片，渐渐的变成了超级大国之间技能比武的终极比赛。谁能把握芯片制作技能，谁就能在未来数字工业高质量开展的浪潮中把握更多的话语权和主动权。从某种视点来说，芯片也决议了一个国家未来科技开展的远景。正是如此，各国、各大芯片厂在芯片范畴出现出了一种急进的样貌。
作为芯片最根底构建块，晶体管的数量决议着一款芯片功能的强弱，功耗的凹凸。更先进的EUV光刻机，实际上的意思便是为了将更多的晶体管塞进一颗拇指般巨细的芯片。
不过当芯片工艺来到7nm、5nm商用阶段，关于ASML来说，光刻机的精度根本已达到了物理极限，经过提高光刻机精度将晶体管做小的难度也就渐渐的变多。为处理这一问题，各大晶圆厂都是经过细心修正晶体管栅极形状，来完成制作工艺方面的提高，而栅极的巨细就等同于芯片的制作工艺。
晶体管的结构由三部分所组成，分别为源极、栅极、漏极，电流会从源极流向漏极，栅极相当于一个开关或闸口，用来操控电流是否经过，而栅极也是晶体管中最重要的部分。前期操控栅极开关的方法是电场，所以也叫场效应晶体管，也便是咱们简称的FET，就像河流中的大坝相同，落下来就能阻挠电流的经过。这是20nm及老练工艺芯片干流的应用技能。
