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伊利诺伊大学的Milton Feng和Walid Hafez研发出了世界上运转频率最快的晶体管，为下一代超级集成电路铺平了路途。
他们的研究效果是在双极性晶体管的PN结掺杂磷化铟和铟-砷化镓单晶，制作出了五十万分之一毫米（2纳米）巨细，最高运转频率可达604G的晶体管。其原理是使用资料上的改变来改造晶体管集电极的晶体结构，使之能更有效地为电子流供给通路。
“小心肠操控铟的浓度，就能使电子在集电区运动得更快，运转间隔也更远”，Walid Hafez解释道。他供认现在的研究效果离实践使用还有必定间隔，并且关于集成电路中更常见的场效应管，这种掺杂方法或许没办法到达相似作用，但他一起着重这不是大问题。
《微处理器月刊》的总编Kevin Krewell以为这种个效果或许更适用于无线电接纳设备，“更高的频率也就从另一方面代表着能对信号作更多的改换”，他评论道。
