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尽管英特尔高层放言芯片代工将走向走投无路，可是，台联电却不这么以为，其高层Stan Hung表明芯片代工有着活跃达观的远景。
在本年5月底，有关新闻媒体报道，台联电斥资80亿制作300mm Fab 12A phase 5和6工厂。现在，又在活跃的进行3D晶体管的研制，取得IBM的FinFET技能专利授权。
FinFET晶体管，一般也叫3D晶体管，现在有许多企业和科研机构都在研讨3D晶体管FinFET技能。传统规范的晶体管场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其操控电流经过的闸口，只能在闸口的一侧操控电路的接通与断开，归于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。经过相似鱼鳍的叉状3D架构的闸口，来操控电路的接通与断开。
咱们来看在IDF2012大会上，英特尔官方给出的22nm三栅极晶体管结构图，是选用3D结构的闸口（英特尔中文翻译为栅），来完成晶体管电路的接通与闭合。在英特尔官方介绍中，也用到了“鳍”这一个字来描述闸口。
