ballbet安卓:H桥电路设计实例详细设计步骤+实际案例
发布时间：2024-11-01 11:51:21   来源：ballbet安卓版 作者：ballbet安卓版西甲赞助    点击：8

  双极型、MOSFET、 IGBT）。开关对角闭合（左上角和右下角或者右下角和左下角）在任一方向将电源连接到负载。

  击穿是指左侧两个开关或右侧两个开关同时闭合的情况，这肯定会导致短路，这是一个坏事，可能会损坏开关或者其他组件。

  有2种有几率发生这种情况的方式，一个是应用了非法控制信号，例如由于软件错误。

  另一个是从一种极性切换到另一种极性时，栅极驱动信号中存在短暂且无意的重叠。

  驱动高侧晶体管是相对来说还是比较难的部分，因为高侧晶体管以相比来说较高的电源电压为参考而不是以地为参考，控制信号（通常来自微控制器或类似设备）以地为参考，因此就需要某种电平转换电路。

  主要是为了驱动5相双极步进电机，Iw = 0.21 A，Rw = 32 ohms，因此H桥需要能够支持6.7V的驱动电压。

  大约200mA的电流不是特别高，使用双极晶体管（BJT）作为开关。对于更高的电流，一定要使用具有较低电流增益的强大功率晶体管，就需要大量的基极电流，这样实际上不好处理，并会导致大量损耗和需要消散的热量。

  这里打算在电流和电压处理要求上留出一些余量来构建电桥，使用MOS管来避免BJT的静态基极电流引起的功率耗散问题。

  对于给定的导通电阻，就元器件尺寸（成本）和栅极电容而言，NMOS管晶体管的效率大约是PMOS晶体管的3倍，因此对于高功率设计，上下开关都使用NMOS晶体管是有利的。

  但是将NMOS管用于上部开关有一个问题：NMOS管需要高于桥电源电压的栅极电压。若使用PMOS管，低于电源电压的栅极电压是足够的。为了尽最大可能避免额外的电源电压，并且由于电流相当低，因此合适的PMOS管的成本不高。

  这里为了尽最大可能避免设计安全，即使微控制器代码中的错误就永远都不可能导致严重情况出现。因此就需要注意以下2件事情：

  1、使用一些逻辑门用于控制信号（启动/方向）转换为打开左上/右上或者右上/左下的内部信号，

  2、为了尽最大可能避免在方向信号变化期间发生短暂的直通，最好在晶体管的导通信号中引入延迟，而且让关断信号尽快通过，因此引入一个短暂的时期，在极性切换期间没有晶体管导通。

  下图显示了一种概念性解决方案，实现了启用/方向控制信号和栅极信号之间的切换，并在晶体管即将导通时引入了延迟。

  两个ADN 门允许使能信号断开控制信号与MOS管栅极的连接，二极管/电阻组合使电容的充电速度比放电速度慢，因此当晶体管即将导通时，栅极驱动信号到达晶体管所需的时间比晶体管即将截止的时间更长。

  通过让来自与门的栅极控制信号对角地控制晶体管，来自与门之一的电平变化打开或者由门控制的两个晶体管。仅使用2个延迟电路就能控制4个晶体管的时序。

  下图的与门需要有施密特触发器输入，因此与门是由相对缓慢变化的电压驱动的。使用或非门会使使能信号处于低电平状态，但这并不是缺点。使用或非门的一个优点是反相器 I1 可以通过或非门实现。然后单个逻辑IC就能够完全满足H桥的要求。

  这里需要用2个用于H桥的逻辑IC来提供所需的NAND门和4个反相器。240 系列逻辑电路中有八进制反相器可用，连同32 四路与非门，有足够的门用于两个桥。所以最后还是在同一块板上构造了2座H桥。下图显示了最终的设计。

  可以使用几个不同的逻辑系列，因为我想要具有CMOS输入电平的NAND门，这也代表着施密特触发器输入将以电源电压的一半进行切换，同时我还希望反相器具有CMOS输出用来驱动NFET高达5V。

  因此NAND门可以是 HC或者AC系列，而反相器可以是HC、HCT、或者AC等。

  最后2个地方都是使用的HC，将HCT用于反相器用来适应方向信号上的TTL电平并不好，因为启用信号无论如何都必须有CMOS电平。

  这里我在输入信号上放置了下拉电路，将它们保持在有效且安全的逻辑电平，防止某些输入有时没有连接。CMOS输入有很高的阻抗，不然很容易拾取噪声。

  为了限制电容充电时的电流浪涌，在二极管/电阻对桑串联了一个额外的330Ω电阻，另一个电容和电阻的值先手工计算大致计算确定，接着进行模拟，在电路完成后进行微调，保证没有击穿。

  高侧PMOS晶体管的驱动电路需要反转信号并增加电机电源电压的摆幅，该电压至少为7V，一定要能相对地对FET的栅极电容进行充电和放电。当较低的NMOS管快速拉动漏极电压时，即使寄生栅极电容将其拉低，PFET也会保持关闭状态向下。

  上图显示了完整的驱动电路。反转和电平移位由NPN晶体管Q9处理。该晶体管的关闭速度很慢。因为假如没有从基极到集电极的肖特基二极管防止饱和，就会处于饱和状态。这和LSTTL逻辑内部用于加速切换的技术相同。

  Q5作射极跟随器连接。并在PMOS晶体管关闭时向电源轨提供所需的低组狼。仅依靠R6将栅极拉高会显著拉高晶体管关闭的时间，但是这里更重要的是。当快速发生明显的变化时，电阻无法将栅极保持在高电平。

  由于较低的 NMOS 导通，PMOS 晶体管的漏极处出现压降（大的负 dV/dt）。当 PMOS 导通时，二极管 D5提供将栅极拉低的路径。这里使用 PNP 射极跟随器来稍微加快开启速度。

  驱动NMOS管要简单一点，将普通的栅极电阻（R8）连接在反相器的输出和栅极之间就可以。

  这里在NMOS管的源极引线中添加了一个电流检测电阻。方便测量电流并且验证是否发生击穿。选择1Ω作为获得示波器测量的合适电压和最小化损耗之间的折中方案。

  在0.2 A 电流下，我们得到 0.2 V 压降，与 6 或 7 V 电源电压相比，这比较小。测试完成后，可以用 0 Ω电阻替换 1 欧姆电阻。

  对于 MOSFET，选择了 IRF7343，是采用单个 SO8 封装的 NMOS/PMOS 组合，是价格、可用性和导通电阻的综合选择。

  这里还在H桥输出上添加了LED，可以直观地指示电路的状态。但是对于成品来说，建议还是不要使用LED。

  最后决定将双H桥电路放在双面PCB上，将所有外部信号拉到单排排针，而不是设计一个包含H桥、微控制器、电源等完整的PCB，这样做才能够最大限度低减少工作量，从而完成项目的H桥部分。如果有必要的化，可以始终将H桥与电路板上的其他电路集成在一起。