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美国麻省理工学院团队使用超薄半导体资料，成功研发出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其功用和功用可比肩乃至逾越现有硅基晶体管，将为高功用节能电子科技类产品的研发拓荒新途径。相关论文发表于5日出书的《天然·电子学》杂志。
晶体管是现代电子设备和集成电路中的根底元件，具有多种重要功用，包含放大和开关电信号。但是，受“玻尔兹曼”这一根本物理约束的影响，硅基晶体管无法在低于必定电压的条件下作业，这无疑约束了其逐渐提高功用，以及扩展适用范围。
为打破这一瓶颈，团队使用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体资料，研发出这款新式3D晶体管。该晶体管功用与现在最先进的硅晶体管适当，能在远低于传统晶体管的电压下高效运转。
团队还将量子隧穿原理引进新式晶体管架构内。在量子隧穿现象中，电子能够穿过而非翻越能量势垒，这使得晶体管更简单被翻开或封闭。为逐渐下降新式晶体管“体型”，他们创建出直径仅为6纳米的笔直纳米线异质结构。
测验成果为，新式晶体管能够更快速高效地切换状况。与相似的隧穿晶体管比较，其功用更是提高了20倍。
这款新式晶体管充沛的使用了量子力学特性，在几平方纳米内一起完成了低电压操作以及高功用体现。因为该晶体管尺度极小，因而可将更多该晶体管封装在计算机芯片上，这将为研发出更高效、节能且功用强大的电子科技类产品奠定坚实根底。
现在，团队正致力于改善制作工艺，以保证整个芯片上晶体管功用的一致性。一起，他们还积极探索其他3D晶体管规划，如笔直鳍形结构等。
