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2020年，台积电、三星的芯片工艺制程进入了5nm，本年台积电、三星的工艺将进入4nm，下一年将进入3nm。
而作为别的一家芯片制作大厂英特尔，确真实芯片制程上落后了，现在还在打磨10nm，连7nm都还没推出来，估计要到下一年去了。
为此，唯工艺节点论英豪的网友，一直在吐槽英特尔。不过近来专业组织Digitimes日前宣布的一份研究报告，可能会让这些不断吐槽英特尔的网友，有点小为难。
由于咱们发现，尽管工艺节点英特尔落后了，但在真实的工艺上，intel其实并没有落后什么，由于：
英特尔的10nm工艺，相当于台积电的7nm工艺，挨近三星的5nm工艺。英特尔的7nm工艺，乃至比三星的3nm还要强，比肩台积电的5nm工艺。英特尔的5nm工艺，比台积电的3nm还要强，乃至比肩IBM之前发布的2nm工艺。
那么这个是怎样算出来的，Digitimes是选用业界比较公认的一项参数，也便是晶体管密度算出来的，即每平方毫米的芯片中，晶体管的个数是多少。
咱们知道在谨慎的芯片工艺中，所谓的芯片工艺提高，是以缩小沟道长度为方针的，芯片工艺其实指源极与漏极间的间隔，在10nm前，各芯片厂商都是严格恪守的。
但后来到了10nm后，工艺提高越来越难，芯片制作厂商们就不再恪守这个规矩了，开端玩起了游戏。
在2019年的时分，台积电研制负责人、技能研究副总经理黄汉森就清晰表明过过“现在描绘工艺水平的XXnm说法现已不科学了，由于它与晶体管栅极现已不是肯定相关了。制程节点现已变成了一种营销游戏，与科技自身的特性没什么关系了。”
也便是从那时分起，台积电、三星开端玩起了数字游戏，芯片工艺不断提高，但实践晶体管密度，并没有提高多少，只要英特尔，则还根本在恪守这个规矩。
所以也就有了从晶体管密度来看，尽管英特尔工艺落后，但这项参数却并没有落后的原因。
所以今后咱们关于芯片工艺节点，其实也不必太仔细的，不同公司的工艺节点界说和标准是不一样的，用XXnm来看谁的技能强，谁的技能弱，其实并不太科学啦。
而从这个晶体管密度参数来看，英特尔现在的技能其实与三星差不太多，究竟下一年英特尔7nm量产，相当于三星的3nm，但仍是落后于台积电的。
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